Name: IPI60R199CPXKSA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPI60R199CPXKSA2-ND
Price: 3.18895 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPI60R199CPXKSA2
DigiKey-Teilenr.	448-IPI60R199CPXKSA2-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPI60R199CPXKSA2
Beschreibung	HIGH POWER_LEGACY
Standardlieferzeit des Herstellers	15 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 600 V 16 A (Tc) 139W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO262-3-1
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPI60R199CPXKSA2 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS®
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	16 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	199mOhm bei 9,9A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,5V bei 660µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	43 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1520 pF @ 100 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	139W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TO262-3-1
Gehäuse / Hülle	TO-262-3 mit langen Pins, I2PAK, TO-262AA
Basis-Produktnummer	IPI60R199

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1	Fr. 2.95000	Fr. 2.95
50	Fr. 1.49660	Fr. 74.83
100	Fr. 1.35570	Fr. 135.57
500	Fr. 1.13368	Fr. 566.84
1’000	Fr. 1.09486	Fr. 1’094.86

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