PG-TO262-3-1
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPI90R500C3XKSA2

DigiKey-Teilenr.
448-IPI90R500C3XKSA2-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IPI90R500C3XKSA2
Beschreibung
MOSFET N-CH 900V 11A TO262-3
Standardlieferzeit des Herstellers
15 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 900 V 11 A (Tc) 156W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO262-3-1
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
IPI90R500C3XKSA2 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
900 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
500mOhm bei 6,6A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
3,5V bei 740µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1700 pF @ 100 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
156W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-TO262-3-1
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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500Fr. 1.19312Fr. 596.56
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2’000Fr. 1.10390Fr. 2’207.80
Standardverpackung des Herstellers
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