IPL60R255P6AUMA1 Infineon Technologies | Diskrete Halbleiterprodukte

IPL60R255P6AUMA1 ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.

Verfügbare Ersatzkomponenten:

Direkter Ersatz

Infineon Technologies

Vorrätig: 4’750

Stückpreis : Fr. 1.82000

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPL60R255P6AUMA1
DigiKey-Teilenr.	IPL60R255P6AUMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPL60R255P6AUMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 15.9A 4VSON
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 600 V 15,9 A (Tc) 126W (Tc) Oberflächenmontage PG-VSON-4
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™ P6
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	15,9 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	255mOhm bei 6,4A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4,5V bei 530µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	31 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1450 pF @ 100 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	126W (Tc)
Betriebstemperatur	-40°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-VSON-4
Gehäuse / Hülle	4-PowerTSFN
Basis-Produktnummer	IPL60R