Name: IPL65R099C7AUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPL65R099C7AUMA1TR-ND
Price: 5.48067 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPL65R099C7AUMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IPL65R099C7AUMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IPL65R099C7AUMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IPL65R099C7AUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPL65R099C7AUMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 650V 21A 4VSON
Standardlieferzeit des Herstellers	48 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 21 A (Tc) 128W (Tc) Oberflächenmontage PG-VSON-4
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPL65R099C7AUMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 590µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 45 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™ C7	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2140 pF @ 400 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 128W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -40°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-VSON-4
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 21 A (Tc)	Gehäuse / Hülle 4-PowerTSFN
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer IPL65R099
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 99mOhm bei 5,9A, 10V