Name: IPM018N10NM5LF2AUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPM018N10NM5LF2AUMA1TR-ND
Price: 7.06974 CHF
Availability: OutOfStock

Neues Produkt

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IPM018N10NM5LF2AUMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IPM018N10NM5LF2AUMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IPM018N10NM5LF2AUMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IPM018N10NM5LF2AUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPM018N10NM5LF2AUMA1
Beschreibung	IPM018N10NM5LF2AUMA1
Standardlieferzeit des Herstellers	24 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 30A (Ta), 285A (Tc) 3,8W (Ta), 349W (Tc) Oberflächenmontage PG-HSOG-4-1
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 5
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	30A (Ta), 285A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V, 15V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	1,7mOhm bei 100A, 15V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,45V bei 240µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	178 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	14000 pF @ 50 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	3,8W (Ta), 349W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-HSOG-4-1
Gehäuse / Hülle	4-PowerSFN