Name: IPN60R360P7SATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPN60R360P7SATMA1TR-ND
Price: 1.09181 CHF
Availability: InStock

IPN60R360P7SATMA1
DigiKey-Teilenr.	IPN60R360P7SATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IPN60R360P7SATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) IPN60R360P7SATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPN60R360P7SATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CHANNEL 600V 9A SOT223
Standardlieferzeit des Herstellers	35 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 600 V 9 A (Tc) 7W (Tc) Oberflächenmontage PG-SOT223
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPN60R360P7SATMA1 Modelle

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™ P7
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	9 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	360mOhm bei 2,7A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 140µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	13 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	555 pF @ 400 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	7W (Tc)
Betriebstemperatur	-40°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-SOT223
Gehäuse / Hülle	TO-261-4, TO-261AA
Basis-Produktnummer	IPN60R

Stückpreis ohne MwSt.:	Fr. 1.01000
Stückpreis mit MwSt.:	Fr. 1.09181

IPN60R360P7SATMA1