Name: IPP023N10N5XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPP023N10N5XKSA1-ND
Price: 4.50777 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPP023N10N5XKSA1
DigiKey-Teilenr.	448-IPP023N10N5XKSA1-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPP023N10N5XKSA1
Beschreibung	TRENCH >=100V
Standardlieferzeit des Herstellers	18 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 120 A (Tc) 375W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3-1
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 5
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	120 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	6V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	2,3mOhm bei 100A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,8V bei 270µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	210 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	15600 pF @ 50 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	375W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TO220-3-1
Gehäuse / Hülle	TO-220-3

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Menge

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Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	Fr. 4.17000	Fr. 4.17
50	Fr. 2.04400	Fr. 102.20
100	Fr. 1.95840	Fr. 195.84
500	Fr. 1.66366	Fr. 831.83
1’000	Fr. 1.62750	Fr. 1’627.50

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