PG-TO220-3-1
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPP045N10N3GXKSA1

DigiKey-Teilenr.
448-IPP045N10N3GXKSA1-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IPP045N10N3GXKSA1
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Standardlieferzeit des Herstellers
16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 100 V 100 A (Tc) 214W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
IPP045N10N3GXKSA1 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
6V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
4,5mOhm bei 100A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
3,5V bei 150µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
117 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
8410 pF @ 50 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
214W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 155°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-TO220-3
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
Fragen und Antworten zum Produkt

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100Fr. 1.14630Fr. 114.63
500Fr. 0.93090Fr. 465.45
1’000Fr. 0.86168Fr. 861.68
2’000Fr. 0.82350Fr. 1’647.00
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