IPP057N08N3GXKSA1 Infineon Technologies | Diskrete Halbleiterprodukte

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPP057N08N3GXKSA1
DigiKey-Teilenr.	448-IPP057N08N3GXKSA1-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPP057N08N3GXKSA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 80 V 80 A (Tc) 150W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPP057N08N3GXKSA1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	80 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	80 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	6V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	5,7mOhm bei 80A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,5V bei 90µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	69 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	4750 pF @ 40 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	150W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TO220-3
Gehäuse / Hülle	TO-220-3
Basis-Produktnummer	IPP057

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