Name: IPP089N15NM6AKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPP089N15NM6AKSA1-ND
Price: 2.72412 CHF
Availability: InStock

N-Kanal 150 V 13,6A (Ta), 88A (Tc) 3,8W (Ta), 158W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3-1

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IPP089N15NM6AKSA1
DigiKey-Teilenr.	448-IPP089N15NM6AKSA1-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPP089N15NM6AKSA1
Beschreibung	TRENCH >=100V
Standardlieferzeit des Herstellers	17 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 150 V 13,6A (Ta), 88A (Tc) 3,8W (Ta), 158W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3-1
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPP089N15NM6AKSA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 8,4mOhm bei 32A, 15V
Herst. Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 73µA
Serie OptiMOS™ 6	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 38 nC @ 10 V
Verpackung Stange	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2700 pF @ 75 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 3,8W (Ta), 158W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V	Montagetyp Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 13,6A (Ta), 88A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO220-3-1
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 8V, 15V	Gehäuse / Hülle TO-220-3

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Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	Fr. 2.52000	Fr. 2.52
50	Fr. 1.25700	Fr. 62.85
100	Fr. 1.13370	Fr. 113.37
500	Fr. 0.91742	Fr. 458.71
1’000	Fr. 0.84796	Fr. 847.96
2’000	Fr. 0.78955	Fr. 1’579.10
5’000	Fr. 0.72640	Fr. 3’632.00
10’000	Fr. 0.72389	Fr. 7’238.90

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