IPP091N06N G Infineon Technologies | Diskrete Halbleiterprodukte

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPP091N06N G
DigiKey-Teilenr.	IPP091N06NG-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPP091N06N G
Beschreibung	MOSFET N-CHAN TO-220
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 60 V 80 A (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Bei Digi-Key nicht mehr erhältlich
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	80 A (Tc)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	9,1mOhm bei 80A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 130µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	81 nC @ 10 V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	2800 pF @ 30 V
FET-Merkmal	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TO220-3
Gehäuse / Hülle	TO-220-3
Basis-Produktnummer	IPP091N

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