
IPP100N10S305AKSA1 | |
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DigiKey-Teilenr. | IPP100N10S305AKSA1-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IPP100N10S305AKSA1 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3 |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 100 V 100 A (Tc) 300W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3-1 |
Datenblatt | Datenblatt |
Kategorie | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 176 nC @ 10 V |
Herst. | Vgs (Max.) ±20V |
Serie | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 11570 pF @ 25 V |
Verpackung Stange | Verlustleistung (max.) 300W (Tc) |
Status der Komponente Nicht für Neukonstruktionen | Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ) |
FET-Typ | Klasse Automobiltechnik |
Technologie | Qualifizierung AEC-Q101 |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V | Montagetyp Durchkontaktierung |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO220-3-1 |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Gehäuse / Hülle |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 5,1mOhm bei 100A, 10V | Basis-Produktnummer |
Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 240µA |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| IRF100B201 | Infineon Technologies | 0 | IRF100B201-ND | Fr. 2.41000 | Ähnlich |
| FDP045N10A-F102 | onsemi | 1’022 | FDP045N10A-F102-ND | Fr. 4.00000 | Ähnlich |
| RBA130N10EANS-4UA04#HB0 | Renesas Electronics Corporation | 0 | 559-RBA130N10EANS-4UA04#HB0TR-ND | Fr. 0.58912 | Ähnlich |
| STP150N10F7 | STMicroelectronics | 1’048 | 497-14570-5-ND | Fr. 3.07000 | Ähnlich |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 5.28000 | Fr. 5.28 |
| 10 | Fr. 3.56000 | Fr. 35.60 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 5.28000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 5.70768 |

