IPP110N20NAAKSA1 ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.
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Infineon Technologies
Vorrätig: 10’216
Stückpreis : Fr. 3.98000
Datenblatt
PG-TO220-3-1
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPP110N20NAAKSA1

DigiKey-Teilenr.
IPP110N20NAAKSA1-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IPP110N20NAAKSA1
Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 200 V 88 A (Tc) 300W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
IPP110N20NAAKSA1 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Obsolet
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
10,7mOhm bei 88A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 270µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
87 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
7100 pF @ 100 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
300W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
Automobiltechnik
Qualifizierung
AEC-Q101
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-TO220-3
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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Obsolet
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