Name: IPP339N20NM6AKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPP339N20NM6AKSA1-ND
Price: 2.65926 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPP339N20NM6AKSA1
DigiKey-Teilenr.	448-IPP339N20NM6AKSA1-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPP339N20NM6AKSA1
Beschreibung	MOSFET
Standardlieferzeit des Herstellers	18 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 200 V 6,8A (Ta), 39A (Tc) 3,8W (Ta), 125W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3-1
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 6
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	6,8A (Ta), 39A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V, 15V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	31,8mOhm bei 26A, 15V
Vgs(th) (max.) bei Id	4,5V bei 52µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	24 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1600 pF @ 100 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	3,8W (Ta), 125W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TO220-3-1
Gehäuse / Hülle	TO-220-3

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50	Fr. 1.74440	Fr. 87.22
100	Fr. 1.67780	Fr. 167.78
500	Fr. 1.27212	Fr. 636.06

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