PG-TO220-3-1
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPP50R190CEXKSA1

DigiKey-Teilenr.
IPP50R190CEXKSA1-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IPP50R190CEXKSA1
Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220-3
Standardlieferzeit des Herstellers
15 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 500 V 18,5 A (Tc) 127W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
IPP50R190CEXKSA1 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
500 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
13V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
190mOhm bei 6,2A, 13V
Vgs(th) (max.) bei Id
3,5V bei 510µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
47.2 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1137 pF @ 100 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
127W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-TO220-3
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
Product Questions and Answers

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Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
1Fr. 2.00000Fr. 2.00
50Fr. 0.99160Fr. 49.58
100Fr. 0.90940Fr. 90.94
500Fr. 0.72252Fr. 361.26
1’000Fr. 0.66358Fr. 663.58
2’000Fr. 0.61824Fr. 1’236.48
5’000Fr. 0.60870Fr. 3’043.50
Standardverpackung des Herstellers
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