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PG-TO220-3-1
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IPP600N25N3GXKSA1

DigiKey-Teilenr.
448-IPP600N25N3GXKSA1-ND
Hersteller
Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer
IPP600N25N3GXKSA1
Beschreibung
MOSFET N-CH 250V 25A TO220-3
Standardlieferzeit des Herstellers
16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 250 V 25 A (Tc) 136W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3-1
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EDA/CAD-Modelle
IPP600N25N3GXKSA1 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
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Kategorie
Herst.
Infineon Technologies
Serie
OptiMOS™
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
250 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
25 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
60mOhm bei 25A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 90µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2350 pF @ 100 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
136W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-TO220-3-1
Gehäuse / Hülle
TO-220-3
Basis-Produktnummer
IPP600
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100Fr. 1.24580Fr. 124.58
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1’000Fr. 0.94105Fr. 941.05
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