
IPP60R299CPXKSA1 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 448-IPP60R299CPXKSA1-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IPP60R299CPXKSA1 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3 |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 11 A (Tc) 96W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | IPP60R299CPXKSA1 Modelle |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 3,5V bei 440µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 29 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±20V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1100 pF @ 100 V |
Status der Komponente Nur verfügbar bis | Verlustleistung (max.) 96W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V | Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO220-3 |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 299mOhm bei 6,6A, 10V |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| IPP60R280P7XKSA1 | Infineon Technologies | 43 | IPP60R280P7XKSA1-ND | Fr. 2.03000 | Vom Hersteller empfohlen |
| STP13N80K5 | STMicroelectronics | 1’174 | 497-13779-5-ND | Fr. 3.37000 | Direkter Ersatz |
| FCP11N60 | onsemi | 1’602 | FCP11N60-ND | Fr. 3.26000 | Ähnlich |
| IRF830APBF | Vishay Siliconix | 1’718 | IRF830APBF-ND | Fr. 2.41000 | Ähnlich |
| IRFBC30APBF | Vishay Siliconix | 732 | IRFBC30APBF-ND | Fr. 3.12000 | Ähnlich |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 2.50000 | Fr. 2.50 |
| 50 | Fr. 1.24900 | Fr. 62.45 |
| 100 | Fr. 1.12770 | Fr. 112.77 |
| 500 | Fr. 0.96346 | Fr. 481.73 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 2.50000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 2.70250 |

