
IPP65R125C7XKSA1 | |
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DigiKey-Teilenr. | IPP65R125C7XKSA1-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IPP65R125C7XKSA1 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 18A TO220-3 |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 18 A (Tc) 101W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | IPP65R125C7XKSA1 Modelle |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 440µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 35 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±20V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1670 pF @ 400 V |
Status der Komponente Nur verfügbar bis | Verlustleistung (max.) 101W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V | Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO220-3 |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 125mOhm bei 8,9A, 10V |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| IPA65R125C7XKSA1 | Infineon Technologies | 211 | IPA65R125C7XKSA1-ND | Fr. 4.71000 | Vom Hersteller empfohlen |
| SIHP30N60E-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHP30N60E-GE3-ND | Fr. 5.55000 | Ähnlich |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 4.44000 | Fr. 4.44 |
| 50 | Fr. 2.29940 | Fr. 114.97 |
| 100 | Fr. 2.09240 | Fr. 209.24 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 4.44000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 4.79964 |








