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PG-TO220-3-1
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPP65R190CFDAAKSA1

DigiKey-Teilenr.
IPP65R190CFDAAKSA1-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IPP65R190CFDAAKSA1
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 17,5 A (Tc) 151W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Obsolet
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
190mOhm bei 7,3A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4,5V bei 700µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1850 pF @ 100 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
151W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C bis 150°C (TJ)
Klasse
Automobiltechnik
Qualifizierung
AEC-Q101
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-TO220-3
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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Obsolet
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