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Marketplace-Produkt
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
IPP65R190CFDXKSA2 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 448-IPP65R190CFDXKSA2-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IPP65R190CFDXKSA2 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220-3 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 16 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 17,5 A (Tc) 151W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | IPP65R190CFDXKSA2 Modelle |
Produkteigenschaften
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | ||
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Aktiv | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 10V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 190mOhm bei 7,3A, 10V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 4,5V bei 700µA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 68 nC @ 10 V | |
Vgs (Max.) | ±20V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 1850 pF @ 100 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 151W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 150°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Durchkontaktierung | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | PG-TO220-3 | |
Gehäuse / Hülle | ||
Basis-Produktnummer |
Auf Lager: 1’172
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Menge
Alle Preise in CHF
Stange
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 2.84000 | Fr. 2.84 |
| 50 | Fr. 1.43360 | Fr. 71.68 |
| 100 | Fr. 1.29760 | Fr. 129.76 |
| 500 | Fr. 1.05914 | Fr. 529.57 |
| 1’000 | Fr. 0.98254 | Fr. 982.54 |
| 2’000 | Fr. 0.95940 | Fr. 1’918.80 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 2.84000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 3.07004 |
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