Ähnlich
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IPP65R225C7XKSA1 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | IPP65R225C7XKSA1-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IPP65R225C7XKSA1 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 23 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 11 A (Tc) 63W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | IPP65R225C7XKSA1 Modelle |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 240µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 20 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±20V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 996 pF @ 400 V |
Status der Komponente Aktiv | Verlustleistung (max.) 63W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V | Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO220-3 |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 225mOhm bei 4,8A, 10V |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| IXTP12N65X2 | IXYS | 0 | IXTP12N65X2-ND | Fr. 1.93087 | Ähnlich |
| SIHP15N65E-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHP15N65E-GE3-ND | Fr. 1.45159 | Ähnlich |
| STP20NM60FD | STMicroelectronics | 397 | 497-5395-5-ND | Fr. 6.32000 | Ähnlich |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 2.59000 | Fr. 2.59 |
| 50 | Fr. 1.28720 | Fr. 64.36 |
| 100 | Fr. 1.16130 | Fr. 116.13 |
| 500 | Fr. 0.94082 | Fr. 470.41 |
| 1’000 | Fr. 0.86994 | Fr. 869.94 |
| 2’000 | Fr. 0.81037 | Fr. 1’620.74 |
| 5’000 | Fr. 0.74595 | Fr. 3’729.75 |
| 10’000 | Fr. 0.74589 | Fr. 7’458.90 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 2.59000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 2.79979 |










