PG-TO220-3-1
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPP65R310CFDXKSA2

DigiKey-Teilenr.
448-IPP65R310CFDXKSA2-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IPP65R310CFDXKSA2
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220-3
Standardlieferzeit des Herstellers
8 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 11,4 A (Tc) 104,2W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
IPP65R310CFDXKSA2 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
310mOhm bei 4,4A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4,5V bei 400µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
41 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1100 pF @ 100 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
104,2W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-TO220-3
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
Fragen und Antworten zum Produkt

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100Fr. 1.01940Fr. 101.94
500Fr. 0.82382Fr. 411.91
1’000Fr. 0.76097Fr. 760.97
2’000Fr. 0.71210Fr. 1’424.20
Standardverpackung des Herstellers
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