PG-TO251-3
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IPS70R1K4P7SAKMA1

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448-IPS70R1K4P7SAKMA1-ND
cms-manufacturer
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IPS70R1K4P7SAKMA1
cms-description
MOSFET N-CH 700V 4A TO251-3
cms-customer-reference
cms-detailed-description
N-Kanal 700 V 4 A (Tc) 22,7W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO251-3
cms-datasheet
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IPS70R1K4P7SAKMA1 Modelle
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cms-type
cms-description
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cms-category
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Nur verfügbar bis
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
700 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
1,4Ohm bei 700mA, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
3,5V bei 40µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
4.7 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±16V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
158 pF @ 400 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
22,7W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-TO251-3
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
cms-product-q-and-a

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Verfügbar bis: 31.03.2026
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Stange
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75Fr. 0.29560Fr. 22.17
150Fr. 0.26193Fr. 39.29
525Fr. 0.21390Fr. 112.30
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Stückpreis mit MwSt.:Fr. 0.75670