


IPSA70R750P7SAKMA1 | |
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DigiKey-Teilenr. | IPSA70R750P7SAKMA1-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IPSA70R750P7SAKMA1 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 700V 6.5A TO251-3 |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 700 V 6,5 A (Tc) 34,7W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO251-3 |
Datenblatt | Datenblatt |
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
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Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | ||
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Obsolet | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 700 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 10V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 750mOhm bei 1,4A, 10V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 3,5V bei 70µA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 8.3 nC @ 400 V | |
Vgs (Max.) | ±16V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 306 pF @ 400 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 34,7W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -40°C bis 150°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Durchkontaktierung | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | PG-TO251-3 | |
Gehäuse / Hülle | ||
Basis-Produktnummer |