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Datenblatt
PG-TO251-3
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PG-TO251-3
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IPSA70R750P7SAKMA1

DigiKey-Teilenr.
IPSA70R750P7SAKMA1-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IPSA70R750P7SAKMA1
Beschreibung
MOSFET N-CH 700V 6.5A TO251-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 700 V 6,5 A (Tc) 34,7W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO251-3
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Obsolet
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
700 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
750mOhm bei 1,4A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
3,5V bei 70µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
8.3 nC @ 400 V
Vgs (Max.)
±16V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
306 pF @ 400 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
34,7W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-TO251-3
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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