Name: IPT019N08N5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPT019N08N5ATMA1TR-ND
Price: 3.9997 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPT019N08N5ATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IPT019N08N5ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IPT019N08N5ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IPT019N08N5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPT019N08N5ATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 80V 32A/247A 8HSOF
Standardlieferzeit des Herstellers	25 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 80 V 32A (Ta), 247A (Tc) 231W (Tc) Oberflächenmontage PG-HSOF-8-1
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPT019N08N5ATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 3,8V bei 159µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 127 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™ 5	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 9200 pF @ 40 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 231W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-HSOF-8-1
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 32A (Ta), 247A (Tc)	Gehäuse / Hülle 8-PowerSFN
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 6V, 10V	Basis-Produktnummer IPT019
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 1,9mOhm bei 150A, 10V