Name: IPT039N15N5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPT039N15N5ATMA1TR-ND
Price: 6.20494 CHF
Availability: InStock

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IPT039N15N5ATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IPT039N15N5ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IPT039N15N5ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IPT039N15N5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPT039N15N5ATMA1
Beschreibung	OPTIMOS 5 POWER MOSFET
Standardlieferzeit des Herstellers	29 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 150 V 21A (Ta), 190A (Tc) 3,8W (Ta), 319W (Tc) Oberflächenmontage PG-HSOF-8
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPT039N15N5ATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 3,9mOhm bei 50A, 10V
Herst. Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) bei Id 4,6V bei 257µA
Serie OptiMOS™	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 98 nC @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 7700 pF @ 75 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 3,8W (Ta), 319W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 21A (Ta), 190A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-HSOF-8
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 8V, 10V	Gehäuse / Hülle 8-PowerSFN