Name: IPT129N20NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPT129N20NM6ATMA1TR-ND
Price: 6.42114 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPT129N20NM6ATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IPT129N20NM6ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IPT129N20NM6ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IPT129N20NM6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPT129N20NM6ATMA1
Beschreibung	TRENCH >=100V
Standardlieferzeit des Herstellers	18 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 200 V 11A (Ta), 87A (Tc) 3,8W (Ta), 234W (Tc) Oberflächenmontage PG-HSOF-8-1
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 6
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	11A (Ta), 87A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V, 15V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	12mOhm bei 65A, 15V
Vgs(th) (max.) bei Id	4,5V bei 129µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	56 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	3800 pF @ 100 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	3,8W (Ta), 234W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-HSOF-8-1
Gehäuse / Hülle	8-PowerSFN