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IPT65R195G7XTMA1 ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.
Verfügbare Ersatzkomponenten:
Vom Hersteller empfohlen
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
IPT65R195G7XTMA1 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | IPT65R195G7XTMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IPT65R195G7XTMA1 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 14A 8HSOF |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 14 A (Tc) 97W (Tc) Oberflächenmontage PG-HSOF-8-2 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | IPT65R195G7XTMA1 Modelle |
Produkteigenschaften
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | ||
Verpackung | Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) | |
Status der Komponente | Obsolet | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 10V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 195mOhm bei 4,8A, 10V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 4V bei 240µA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 20 nC @ 10 V | |
Vgs (Max.) | ±20V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 996 pF @ 400 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 97W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 150°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Oberflächenmontage | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | PG-HSOF-8-2 | |
Gehäuse / Hülle | ||
Basis-Produktnummer |
Obsolet
zur Verwendung mit
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