Name: IPTG018N10NM5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPTG018N10NM5ATMA1TR-ND
Price: 4.42129 CHF
Availability: InStock

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IPTG018N10NM5ATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IPTG018N10NM5ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IPTG018N10NM5ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IPTG018N10NM5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPTG018N10NM5ATMA1
Beschreibung	TRENCH >=100V PG-HSOG-8
Standardlieferzeit des Herstellers	18 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 32A (Ta), 273A Tc) 3,8W (Ta), 273W (Tc) Oberflächenmontage PG-HSOG-8-1
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPTG018N10NM5ATMA1 Modelle

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	32A (Ta), 273A Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	6V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	1,8mOhm bei 150A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,8V bei 202µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	152 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	11000 pF @ 50 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	3,8W (Ta), 273W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-HSOG-8-1
Gehäuse / Hülle	8-PowerSMD, Knickflügel
Basis-Produktnummer	IPTG018N

Stückpreis ohne MwSt.:	Fr. 4.09000
Stückpreis mit MwSt.:	Fr. 4.42129

IPTG018N10NM5ATMA1