N-Kanal 600 V 3,1 A (Tc) 49W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO251-3
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IPU60R1K5CEAKMA2

DigiKey-Teilenr.
IPU60R1K5CEAKMA2-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IPU60R1K5CEAKMA2
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 3.1A TO251-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 3,1 A (Tc) 49W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO251-3
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
IPU60R1K5CEAKMA2 Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
3,5V bei 90µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
9.4 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±20V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
200 pF @ 100 V
Status der Komponente
Nicht für Neukonstruktionen
Verlustleistung (max.)
49W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-40°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-TO251-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
1,5Ohm bei 1,1A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
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525Fr. 0.27090Fr. 142.22
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