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N-Kanal 500 V 13 A (Tc) 114W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-3-1
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPW50R250CPFKSA1

DigiKey-Teilenr.
IPW50R250CPFKSA1-ND
Hersteller
Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer
IPW50R250CPFKSA1
Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 13A TO247-3
Standardlieferzeit des Herstellers
14 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 500 V 13 A (Tc) 114W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-3-1
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EDA/CAD-Modelle
IPW50R250CPFKSA1 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
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Kategorie
Herst.
Infineon Technologies
Serie
CoolMOS™
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
500 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
13 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
250mOhm bei 7,8A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
3,5V bei 520µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1420 pF @ 100 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
114W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-TO247-3-1
Gehäuse / Hülle
TO-247-3
Basis-Produktnummer
IPW50R250
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