
IPW60R190E6FKSA1 | |
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DigiKey-Teilenr. | IPW60R190E6FKSA1-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IPW60R190E6FKSA1 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247-3 |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 600 V 20,2 A (Tc) 151W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-3-1 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | IPW60R190E6FKSA1 Modelle |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 3,5V bei 630µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 63 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±20V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1400 pF @ 100 V |
Status der Komponente Nur verfügbar bis | Verlustleistung (max.) 151W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V | Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO247-3-1 |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 190mOhm bei 9,5A, 10V |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| IPW60R180P7XKSA1 | Infineon Technologies | 0 | IPW60R180P7XKSA1-ND | Fr. 3.01000 | Vom Hersteller empfohlen |
| FCH190N65F-F155 | onsemi | 381 | FCH190N65F-F155-ND | Fr. 5.82000 | Ähnlich |
| IXFH50N60P3 | IXYS | 357 | 238-IXFH50N60P3-ND | Fr. 10.65000 | Ähnlich |
| IXFR48N60Q3 | IXYS | 0 | IXFR48N60Q3-ND | Fr. 22.18437 | Ähnlich |
| SIHG22N60E-E3 | Vishay Siliconix | 500 | SIHG22N60E-E3-ND | Fr. 4.45000 | Ähnlich |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 3.50000 | Fr. 3.50 |
| 30 | Fr. 1.94033 | Fr. 58.21 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 3.50000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 3.78350 |



