Name: IPW60R199CPFKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPW60R199CPFKSA1-ND
Price: 1.75244 CHF
Availability: OutOfStock

IPW60R199CPFKSA1 steht für den Kauf zur Verfügung, befindet sich aber normalerweise nicht auf Lager.

Verfügbare Ersatzkomponenten:

Direkter Ersatz

STW24N60DM2

STMicroelectronics

Vorrätig: 88

Stückpreis : Fr. 3.55000

Datenblatt

Ähnlich

FCH190N65F-F155

onsemi

Vorrätig: 381

Stückpreis : Fr. 4.97000

Datenblatt

Ähnlich

IXFH22N65X2

IXYS

Vorrätig: 5’065

Stückpreis : Fr. 6.18000

Datenblatt

Ähnlich

IXFH50N60P3

IXYS

Vorrätig: 596

Stückpreis : Fr. 9.18000

Datenblatt

Ähnlich

IXFX44N80Q3

IXYS

Vorrätig: 0

Stückpreis : Fr. 21.79760

Ähnlich

SIHG21N65EF-GE3

Vishay Siliconix

Vorrätig: 0

Stückpreis : Fr. 1.98732

Datenblatt

Ähnlich

STW18N60M2

STMicroelectronics

Vorrätig: 134

Stückpreis : Fr. 2.58000

Datenblatt

Ähnlich

STW24N60M2

STMicroelectronics

Vorrätig: 21

Stückpreis : Fr. 2.49000

Datenblatt

Ähnlich

STW26NM60N

STMicroelectronics

Vorrätig: 586

Stückpreis : Fr. 6.00000

Datenblatt

Ähnlich

STW28N60DM2

STMicroelectronics

Vorrätig: 160

Stückpreis : Fr. 3.86000

Datenblatt

Alle Ersatzkomponenten anzeigen und vergleichen

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPW60R199CPFKSA1
DigiKey-Teilenr.	IPW60R199CPFKSA1-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPW60R199CPFKSA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 16A TO247-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 600 V 16 A (Tc) 139W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-3-1
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPW60R199CPFKSA1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Nicht für Neukonstruktionen
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	16 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	199mOhm bei 9,9A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,5V bei 660µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	43 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1520 pF @ 100 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	139W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TO247-3-1
Gehäuse / Hülle	TO-247-3
Basis-Produktnummer	IPW60R199

Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

Auf Bestellung verfügbar

Dieses Produkt ist bei DigiKey nicht vorrätig. Die angegebene Lieferzeit gilt für die Lieferung des Herstellers an DigiKey. Nach Erhalt des Produkts wird DigiKey die offenen Bestellungen erfüllen.

Für neue Designs nicht empfohlen, Mindestbestellmengen eventuell erforderlich. Ersatzartikel anzeigen.

Menge

Alle Preise in CHF

Stange

Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
240	Fr. 1.62113	Fr. 389.07

Standardverpackung des Herstellers

Hinweis: Aufgrund der Mehrwertdienste von DigiKey kann sich die Verpackungsart ändern, wenn das Produkt in Mengen unterhalb der Standardverpackungsmenge gekauft wird.