
IPW65R045C7FKSA1 | |
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DigiKey-Teilenr. | IPW65R045C7FKSA1-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IPW65R045C7FKSA1 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 46A TO247-3 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 31 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 46 A (Tc) 227W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-3-1 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | IPW65R045C7FKSA1 Modelle |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 1,25mA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 93 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±20V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 4340 pF @ 400 V |
Status der Komponente Aktiv | Verlustleistung (max.) 227W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V | Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO247-3-1 |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 45mOhm bei 24,9A, 10V |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| FCH041N65F-F085 | onsemi | 282 | FCH041N65F-F085-ND | Fr. 12.20000 | Ähnlich |
| IXTH80N65X2 | IXYS | 115 | IXTH80N65X2-ND | Fr. 12.79000 | Ähnlich |
| SIHG70N60EF-GE3 | Vishay Siliconix | 270 | 742-SIHG70N60EF-GE3-ND | Fr. 11.81000 | Ähnlich |
| STW70N60DM2 | STMicroelectronics | 170 | 497-16345-5-ND | Fr. 9.10000 | Ähnlich |
| STW77N65M5 | STMicroelectronics | 237 | 497-10589-5-ND | Fr. 13.55000 | Ähnlich |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 9.11000 | Fr. 9.11 |
| 30 | Fr. 5.42833 | Fr. 162.85 |
| 120 | Fr. 4.62150 | Fr. 554.58 |
| 510 | Fr. 4.03067 | Fr. 2’055.64 |
| 1’020 | Fr. 4.02558 | Fr. 4’106.09 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 9.11000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 9.84791 |









