Vom Hersteller empfohlen



IPW65R125C7XKSA1 | |
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DigiKey-Teilenr. | IPW65R125C7XKSA1-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IPW65R125C7XKSA1 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 18A TO247-3 |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 18 A (Tc) 101W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-3 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | IPW65R125C7XKSA1 Modelle |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 440µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 35 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±20V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1670 pF @ 400 V |
Status der Komponente Obsolet | Verlustleistung (max.) 101W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V | Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO247-3 |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 125mOhm bei 8,9A, 10V |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| IPW65R095C7XKSA1 | Infineon Technologies | 228 | 448-IPW65R095C7XKSA1-ND | Fr. 5.60000 | Vom Hersteller empfohlen |









