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Infineon Technologies
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Datenblatt
N-Kanal 650 V 18 A (Tc) 101W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
N-Kanal 650 V 18 A (Tc) 101W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-3
PG-TO247-3

IPW65R125C7XKSA1

DigiKey-Teilenr.
IPW65R125C7XKSA1-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IPW65R125C7XKSA1
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 18A TO247-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 18 A (Tc) 101W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-3
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
IPW65R125C7XKSA1 Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 440µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
35 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±20V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1670 pF @ 400 V
Status der Komponente
Obsolet
Verlustleistung (max.)
101W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-TO247-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
125mOhm bei 8,9A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (1)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
IPW65R095C7XKSA1Infineon Technologies228448-IPW65R095C7XKSA1-NDFr. 5.60000Vom Hersteller empfohlen
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