Name: IPW90R120C3XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPW90R120C3XKSA1-ND
Price: 13.92328 CHF
Availability: InStock

N-Kanal 900 V 36 A (Tc) 417W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-3-21

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IPW90R120C3XKSA1
DigiKey-Teilenr.	448-IPW90R120C3XKSA1-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPW90R120C3XKSA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 900V 36A TO247-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 900 V 36 A (Tc) 417W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-3-21
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPW90R120C3XKSA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 3,5V bei 2,9mA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 270 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Stange	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 6800 pF @ 100 V
Status der Komponente Nicht für Neukonstruktionen	Verlustleistung (max.) 417W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss) 900 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO247-3-21
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 36 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-247-3
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer IPW90R120
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 120mOhm bei 26A, 10V

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30	Fr. 7.91633	Fr. 237.49
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510	Fr. 6.32294	Fr. 3’224.70

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