Name: IPZA65R040CM8XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPZA65R040CM8XKSA1-ND
Price: 7.62105 CHF
Availability: InStock

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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPZA65R040CM8XKSA1
DigiKey-Teilenr.	448-IPZA65R040CM8XKSA1-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPZA65R040CM8XKSA1
Beschreibung	IPZA65R040CM8XKSA1
Standardlieferzeit des Herstellers	20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 62 A (Tc) 329W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-4-U02
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPZA65R040CM8XKSA1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	62 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	40mOhm bei 25A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4,7V bei 680µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	80 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	3796 pF @ 400 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	329W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TO247-4-U02
Gehäuse / Hülle	TO-247-4

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30	Fr. 4.13633	Fr. 124.09
120	Fr. 3.49683	Fr. 419.62
510	Fr. 3.24371	Fr. 1’654.29

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