Name: IQD016N08NM5SCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQD016N08NM5SCATMA1TR-ND
Price: 5.22123 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IQD016N08NM5SCATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IQD016N08NM5SCATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IQD016N08NM5SCATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IQD016N08NM5SCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IQD016N08NM5SCATMA1
Beschreibung	OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Standardlieferzeit des Herstellers	61 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 80 V 31A (Ta), 323A (Tc) 3W (Ta), 333W (Tc) Oberflächenmontage PG-WHSON-8-U02
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IQD016N08NM5SCATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 1,57mOhm bei 50A, 10V
Herst. Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) bei Id 3,8V bei 159µA
Serie OptiMOS™ 5	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 133 nC @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 9200 pF @ 40 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 3W (Ta), 333W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 31A (Ta), 323A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-WHSON-8-U02
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 6V, 10V	Gehäuse / Hülle 8-PowerWDFN