Name: IQDH29NE2LM5SCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQDH29NE2LM5SCATMA1TR-ND
Price: 4.03213 CHF
Availability: OutOfStock

N-Kanal 25 V 75A (Ta), 789A (Tc) 2,5W (Ta), 278W (Tc) Oberflächenmontage PG-WHSON-8-U02

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IQDH29NE2LM5SCATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IQDH29NE2LM5SCATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IQDH29NE2LM5SCATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IQDH29NE2LM5SCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IQDH29NE2LM5SCATMA1
Beschreibung	OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Standardlieferzeit des Herstellers	61 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 25 V 75A (Ta), 789A (Tc) 2,5W (Ta), 278W (Tc) Oberflächenmontage PG-WHSON-8-U02
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IQDH29NE2LM5SCATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 0,29mOhm bei 50A, 10V
Herst. Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) bei Id 2V bei 1,448mA
Serie OptiMOS™ 5	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 110 nC @ 4.5 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±16V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 17000 pF @ 12 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 2,5W (Ta), 278W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 75A (Ta), 789A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-WHSON-8-U02
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Gehäuse / Hülle 8-PowerWDFN