Name: IQDH35N03LM5CGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQDH35N03LM5CGATMA1TR-ND
Price: 2.58359 CHF
Availability: OutOfStock

N-Kanal 30 V 66A (Ta), 700A (Tc) 2,5W (Ta), 278W (Tc) Oberflächenmontage PG-TTFN-9-U02

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IQDH35N03LM5CGATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IQDH35N03LM5CGATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IQDH35N03LM5CGATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IQDH35N03LM5CGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IQDH35N03LM5CGATMA1
Beschreibung	OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Standardlieferzeit des Herstellers	36 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 30 V 66A (Ta), 700A (Tc) 2,5W (Ta), 278W (Tc) Oberflächenmontage PG-TTFN-9-U02
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IQDH35N03LM5CGATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 2V bei 1,46mA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 197 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™ 5	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 18000 pF @ 15 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 2,5W (Ta), 278W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TTFN-9-U02
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 66A (Ta), 700A (Tc)	Gehäuse / Hülle 9-PowerTDFN
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Basis-Produktnummer IQDH35
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 0,35mOhm bei 50A, 10V