Name: IQDH45N04LM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQDH45N04LM6ATMA1TR-ND
Price: 3.7835 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IQDH45N04LM6ATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IQDH45N04LM6ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IQDH45N04LM6ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IQDH45N04LM6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IQDH45N04LM6ATMA1
Beschreibung	TRENCH <= 40V
Standardlieferzeit des Herstellers	18 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 40 V 60A (Ta), 637A (Tc) 3W (Ta), 333W (Tc) Oberflächenmontage PG-TSON-8-9
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IQDH45N04LM6ATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 6
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	40 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	60A (Ta), 637A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	0,45mOhm bei 50A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,3V bei 1,449mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	172 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	12000 pF @ 20 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	3W (Ta), 333W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TSON-8-9
Gehäuse / Hülle	8-PowerTDFN