Name: IQE022N06LM5SCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE022N06LM5SCATMA1TR-ND
Price: 3.05923 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IQE022N06LM5SCATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IQE022N06LM5SCATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IQE022N06LM5SCATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IQE022N06LM5SCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IQE022N06LM5SCATMA1
Beschreibung	OPTIMOS 5 POWER-TRANSISTOR 60V
Standardlieferzeit des Herstellers	52 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 60 V 24A (Ta), 151A (Tc) 2,5W (Ta), 100W (Tc) Oberflächenmontage PG-WHSON-8-1
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IQE022N06LM5SCATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 5
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	24A (Ta), 151A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	2,2mOhm bei 20A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,3V bei 48µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	53 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	4420 pF @ 30 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	2,5W (Ta), 100W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-WHSON-8-1
Gehäuse / Hülle	8-PowerWDFN
Basis-Produktnummer	IQE022