Name: IRF100PW219XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IRF100PW219XKSA1-ND
Price: 4.65911 CHF
Availability: InStock

Neues Produkt

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IRF100PW219XKSA1
DigiKey-Teilenr.	448-IRF100PW219XKSA1-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IRF100PW219XKSA1
Beschreibung	TRENCH >=100V
Standardlieferzeit des Herstellers	20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 33A (Ta), 203A (Tc) 3,8W (Ta), 341W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-3-U06
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IRF100PW219XKSA1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	StrongIRFET™
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	33A (Ta), 203A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	6V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	1,7mOhm bei 100A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,8V bei 278µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	210 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	16000 pF @ 50 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	3,8W (Ta), 341W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TO247-3-U06
Gehäuse / Hülle	TO-247-3

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Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	Fr. 4.31000	Fr. 4.31
30	Fr. 2.42500	Fr. 72.75
120	Fr. 2.00950	Fr. 241.14
510	Fr. 1.70475	Fr. 869.42
1’020	Fr. 1.61990	Fr. 1’652.30

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