IRFB4127PBFXKMA1
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IRF1010EZPBF

DigiKey-Teilenr.
IRF1010EZPBF-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IRF1010EZPBF
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 75A TO220AB
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 60 V 75 A (Tc) 140W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
IRF1010EZPBF Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Nur verfügbar bis
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
8,5mOhm bei 51A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 100µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2810 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
140W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220AB
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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100Fr. 0.55740Fr. 55.74
500Fr. 0.52130Fr. 260.65
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