IRF1010ZSTRLPBF Infineon Technologies | Einzelne FETs, MOSFETs

N-Kanal 55 V 75 A (Tc) 140W (Tc) Oberflächenmontage D2PAK

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IRF1010ZSTRLPBF
DigiKey-Teilenr.	IRF1010ZSTRLPBFTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IRF1010ZSTRLPBFCT-ND - Gurtabschnitt (CT)
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IRF1010ZSTRLPBF
Beschreibung	MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 55 V 75 A (Tc) 140W (Tc) Oberflächenmontage D2PAK
Datenblatt	Datenblatt

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 95 nC @ 10 V
Serie HEXFET®	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT)	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2840 pF @ 25 V
Status der Komponente Obsolet	Verlustleistung (max.) 140W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V	Gehäusetyp vom Lieferanten D2PAK
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 75 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer IRF1010
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 7,5mOhm bei 75A, 10V

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Ersatzartikel (13)

Teilenummer	Hersteller	Verfügbare Menge	DigiKey-Teilenr.	Stückpreis	Typ des Ersatzartikels
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