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Marketplace-Produkt
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
IRF200B211 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | IRF200B211-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IRF200B211 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 200V 12A TO220AB |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 200 V 12 A (Tc) 80W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | IRF200B211 Modelle |
Produkteigenschaften
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | ||
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Obsolet | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 200 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 10V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 170mOhm bei 7,2A, 10V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 4,9V bei 50µA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 23 nC @ 10 V | |
Vgs (Max.) | ±20V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 790 pF @ 50 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 80W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 175°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Durchkontaktierung | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | TO-220AB | |
Gehäuse / Hülle | ||
Basis-Produktnummer |
Auf Lager: 113
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Menge
Alle Preise in CHF
Stange
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.74000 | Fr. 1.74 |
| 50 | Fr. 0.83900 | Fr. 41.95 |
| 100 | Fr. 0.75140 | Fr. 75.14 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 1.74000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 1.88094 |
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