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IRFP4368PBFXKMA1
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IRF200P222

DigiKey-Teilenr.
448-IRF200P222-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IRF200P222
Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 182A TO247AC
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 200 V 182 A (Tc) 556W (Tc) Durchkontaktierung TO-247AC
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
IRF200P222 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Bei Digi-Key nicht mehr erhältlich
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
6,6mOhm bei 82A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 270µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
203 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
9820 pF @ 50 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
556W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247AC
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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