IRF300P226 Infineon Technologies | Diskrete Halbleiterprodukte

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IRF300P226
DigiKey-Teilenr.	448-IRF300P226-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IRF300P226
Beschreibung	MOSFET N-CH 300V 100A TO247AC
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 300 V 100 A (Tc) 556W (Tc) Durchkontaktierung TO-247AC
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IRF300P226 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	StrongIRFET™
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Bei Digi-Key nicht mehr erhältlich
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	300 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	100 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	19mOhm bei 45A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 270µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	191 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	10030 pF @ 50 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	556W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247AC
Gehäuse / Hülle	TO-247-3
Basis-Produktnummer	IRF300

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