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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
IRF3205SPBF | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | IRF3205SPBF-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IRF3205SPBF |
Beschreibung | MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 55 V 110 A (Tc) 200W (Tc) Oberflächenmontage D2PAK |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | IRF3205SPBF Modelle |
Produkteigenschaften
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Leere Attribute anzeigen
Kategorie | Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 8mOhm bei 62A, 10V |
Herst. | Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA |
Serie | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 146 nC @ 10 V |
Verpackung Stange | Vgs (Max.) ±20V |
Status der Komponente Bei DigiKey nicht mehr erhältlich | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 3247 pF @ 25 V |
FET-Typ | Verlustleistung (max.) 200W (Tc) |
Technologie | Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V | Montagetyp Oberflächenmontage |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäusetyp vom Lieferanten D2PAK |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Gehäuse / Hülle |
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Ersatzartikel (13)
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| IPB081N06L3GATMA1 | Infineon Technologies | 5’302 | IPB081N06L3GATMA1CT-ND | Fr. 1.67000 | Ähnlich |
| IPB090N06N3GATMA1 | Infineon Technologies | 0 | IPB090N06N3GATMA1CT-ND | Fr. 1.53000 | Ähnlich |
| BUK7610-55AL,118 | Nexperia USA Inc. | 4’579 | 1727-BUK7610-55AL,118CT-ND | Fr. 3.28000 | Ähnlich |
| BUK9608-55B,118 | Nexperia USA Inc. | 321 | 1727-4711-1-ND | Fr. 2.48000 | Ähnlich |
| HUF75345S3ST | onsemi | 1’881 | HUF75345S3STCT-ND | Fr. 6.37000 | Ähnlich |
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