TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IRF520NSPBF

DigiKey-Teilenr.
IRF520NSPBF-ND
Hersteller
Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer
IRF520NSPBF
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 100 V 9,7 A (Tc) 3,8W (Ta), 48W (Tc) Oberflächenmontage D2PAK
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
IRF520NSPBF Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Infineon Technologies
Serie
HEXFET®
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Bei Digi-Key nicht mehr erhältlich
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
9,7 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
200mOhm bei 5,7A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
330 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
3,8W (Ta), 48W (Tc)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten
D2PAK
Gehäuse / Hülle
TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
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